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TLV2721IDBVR	文件：693.4 Kbytes Page：28 Pages	Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POEWR SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2721IDBVRG4	文件：693.4 Kbytes Page：28 Pages	Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POEWR SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2721IDBVT	文件：693.4 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILVERYLOW-POEWRSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2721Y	文件：579.21 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILVERYLOW-POWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2721Y	文件：693.4 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILVERYLOW-POEWRSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TZ2721A	文件：106.18 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD1.6x1.237.4MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount1.6mmx1.2mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ2721B	文件：225.13 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD1.6x1.237.4MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount1.6mmx1.2mmcrystalunitforuseinwireless	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA2721AGR	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2721GR	文件：280.25 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2721	文件：90.01 Kbytes Page：12 Pages	GENERALPURPOSEL-BANDDOWNCONVERTERICs [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TLV2721IDBVR
功能描述：
运算放大器 - 运放 LP R/R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TLV2721IDBVR供应商更新时间2025-6-20 19:45:00

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