丝印：2309E；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features ESD Rating: 2000V HBM High power and current handing capability Lead free product is acquired Surface mount package VDS = -30V,ID = -3.5A RDS(ON)

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丝印：230N85；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features BV285V Ib 238A Ptot

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丝印：2301；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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丝印：2302；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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丝印：2304；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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丝印：2305；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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-20V P-Channel MOSFET

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