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RJP60F5DPK	文件：85.73 Kbytes Page：7 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  High speed switching tf = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load) 文件：85.73 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60F5DPK_15	文件：86.23 Kbytes Page：7 Pages	600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching 文件：86.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP60F5DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBTs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJP60F5DPK-01#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 260.4W	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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更多RJP60F5DPK供应商更新时间2025-11-28 15:07:00