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RJP60D0DPP-M0	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplating	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60D0DPP-M0-T2	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplating	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60D0DPP-M0_15	文件：85.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60D0DPP-M0#T2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 45A 35W TO-220FL	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
STB60D0	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB60D0	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU60D0	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU60D0	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ60D0	文件：476.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGERANGE:3.3-200V POWER:5.0Watts Features •CompleteVoltageRange3.3to200Volts •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SZ60D0	文件：483.079 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

详细参数

型号：
RJP60D0DPP
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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