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厂商型号

RJP6065DPM

功能描述

Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching / TO-3PFM Package

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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RJP6065DPM规格书详情

描述 Description

* Low collector to emitter saturation voltage
   VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)

* Gate to emitter voltage rating 30 V

* Pb-free lead plating and chip bonding

技术参数

  • 型号:

    RJP6065DPM

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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