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RJP6065DPM中文资料Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching / TO-3PFM Package数据手册Renesas规格书
RJP6065DPM规格书详情
描述 Description
* Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)
* Gate to emitter voltage rating 30 V
* Pb-free lead plating and chip bonding
技术参数
- 型号：
RJP6065DPM
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220 |
7406 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | ||||
RENESAS |
22+ |
TO-220 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3PF |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
07+ |
TO-220 |
492 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-3PF |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3PF |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-220 |
210 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
TO3PF |
60000 |
全新原装现货 |
询价 |
