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RJH60D5BDPQ-E0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH60D5BDPQ-E0 |
| 参数属性 | RJH60D5BDPQ-E0 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 75A 200W TO-247 |
| 功能描述 | 600V - 37A - IGBT Application: Inverter |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
111.8 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 8:08:00 |
| 人工找货 | RJH60D5BDPQ-E0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
RJH60D5BDPQ-E0#T2
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，37A
- 开关能量：
400µJ（开），810µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/130ns
- 测试条件：
300V，37A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247
- 描述：
IGBT 600V 75A 200W TO-247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-3P |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3750 |
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询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-3P |
3900 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO3P |
880000 |
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RENESAS |
TO3P |
56520 |
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MIT |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO3P |
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Renesas |
22+ |
TO247 |
9000 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO247 |
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只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-3P |
9600 |
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询价 |
