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RFM10N15	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State
RFM10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RFM10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
10N15	文件：281.88 Kbytes Page：4 Pages	10A,150V,0.3廓,N-CHANNELPOWERMOSFETS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
HM10N15D	文件：957 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
ME10N15	文件：1.00803 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
MTM10N15L	文件：260.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP10N15	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MTP10N15L	文件：279.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
RFP10N15	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State
RFP10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RFP10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
RFP10N15	文件：40.37 Kbytes Page：5 Pages	10A,150V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Features ●10A,120Vand150V ●rDS(on)=0.3Ω ●SOAisPower-DissipationLimited ●NanosecondSwitchingSpeeds ●LinearTransferCharacteristics ●HighInputImpedance ●MajorityCarrierDevice	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

详细参数

型号：
RFM10N15
制造商：
GESS
制造商全称：
GESS
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	RFM10N15	MOT	23+	TO-3	8500	全新原装现货,公司只做原装。	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	RFM10N15	HAR	02+	TO-3	213		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	RFM10N15	GESS	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	RFM10N15	HAR	专业铁帽	TO-3	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
无锡固电半导体股份有限公司	RFM10N15	isc	2024	TO-3	10000	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	RFM10N15L	HARRIS(哈利斯)	23+	TO3	6000		询价
深圳市星宇佳科技有限公司	RFM10N45	HARRIS(哈利斯)	20+	TO-3	3000		询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	RFM10N50	MOSPEC	1635+	92	6000	好渠道!好价格!一片起卖!	询价
深圳市维尔达电子有限公司	RFM10N50	MOSPEC	2023+	TO-3	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	RFM10N50	MOSPEC	21+	TO-3	35210	一级代理/放心采购	询价

更多RFM10N15供应商更新时间2024-4-25 16:00:00

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