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RFM25N05	文件：235.65 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
25N05	文件：65.59 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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MTP25N05	文件：300.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTP25N05E	文件：100.86 Kbytes Page：2 Pages	TMOSIVPowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
MTP25N05E	文件：1.31383 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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RFP25N05	文件：104.17 Kbytes Page：8 Pages	25A,50V,0.047Ohm,N-ChannelPowerMOSFET TheRFP25N05N-channelpowerMOSFETismanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswitchingr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP25N05	文件：235.65 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELDEFFECTTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
RFP25N05	文件：244.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
RFP25N05L	文件：47.08 Kbytes Page：6 Pages	25A,50V,0.047Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET TheRFP25N05LisanN-ChannellogiclevelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.TheRFP25N05Lwasdesignedforusewit	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP25N05L	文件：1.31324 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
SDD25N05	文件：75.58 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
SMP25N05	文件：295.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.06Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
RFM25N05
功能描述：
POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	RFM25N05			N/A	2655		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RFM25N05	ISC/固电		TO-3	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
无锡固电半导体股份有限公司	RFM25N05	isc	2024	TO-3	140	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市海元微电科技有限公司	RFM25N06	Harris Corporation	22+	原厂原装	100000		询价
深圳市星宇佳科技有限公司	RFM25N06	HARRIS(哈利斯)	20+	TO-3	3000		询价
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更多RFM25N05供应商更新时间2024-4-28 14:00:00

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