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RFM10N50	文件：31.32 Kbytes Page：4 Pages	10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
10N50	文件：172.1 Kbytes Page：6 Pages	10Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanc	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N50	文件：179.36 Kbytes Page：6 Pages	10A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
10N50A	文件：949.66 Kbytes Page：6 Pages	10A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
10N50B	文件：949.77 Kbytes Page：6 Pages	10A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
10N50C	文件：992.82 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFETImproveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
10N50K-MT	文件：192.9 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELJFETFORELECTRETCONDENSERMICROPHONE	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AOTF10N50FD	文件：295.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOTF10N50FD	文件：335.73 Kbytes Page：6 Pages	500V,10AN-ChannelMOSFETwithFastRecoveryDiode GeneralDescription TheAOTF10N50FDhasbeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartc	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF10N50FD	文件：1.15718 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDP10N50F	文件：415.32 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,9A,0.85廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDPF10N50FT	文件：415.32 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,9A,0.85廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDPF10N50FT	文件：323.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDPF10N50UT	文件：323.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.05mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDPF10N50UT	文件：609.18 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETTMUltraFRFETTMMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FLX10N50	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司
FQB10N50CF	文件：333.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.61Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB10N50CFTM	文件：600.27 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFETRFRFETRMOSFET500V,10A,610m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP10N50CF	文件：992.82 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFETImproveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP10N50CF	文件：991.89 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
RFM10N50
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RFM10N50供应商更新时间2024-4-26 16:12:00

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