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AOTF10N50FD	文件：335.73 Kbytes Page：6 Pages	500V, 10A N-Channel MOSFET with Fast Recovery Diode General Description The AOTF10N50FD has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this part c 文件：335.73 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF10N50FD	文件：295.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.75Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：295.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF10N50FD	文件：1.15718 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.15718 Mbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOTF10N50FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 500V, 10A N-Channel MOSFET with Fast Recovery Diode	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
500
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
10
PD @ 25°C (W)：
50
10V：
750
Qg (10V)(nC)：
29
VGS(th) max (V)：
4.20
Ciss (pF)：
1030
Coss (pF)：
112
Crss (pF)：
10
Qgd (nC)：
9.50
tD(on) (ns)：
24
tD(off) (ns)：
69
Trr (ns)：
116
Qrr (nC)：
300
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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