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RFM10N15规格书详情
N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors
特性 Features
■ SOA is power-dissipation limited
■ Nanosecond switching speeds
■ Linear transfer characteristics
■ High input impedance
■ Majority carrier device
产品属性
- 型号：
RFM10N15
- 制造商：
GESS
- 制造商全称：
GESS
- 功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HAR |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
HARRIS |
24+ |
6000 |
原装现货,特价销售 |
询价 | |||
RF Solutions |
22+ |
Module |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
HARRIS |
2020+ |
N/A |
174 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
HAR |
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
询价 | |||
HAR |
24+ |
TO-3 |
213 |
询价 | |||
HOPERF |
24+ |
986000 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | |||
HOPERF |
24+ |
NA/ |
35 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
HOPERF/华普微 |
23+ |
MODULE/模块 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HOPERF |
24+ |
SMD |
20000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
询价 |
