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RFD3055LESM数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

RFD3055LESM

功能描述

N 沟道,逻辑电平,功率 MOSFET,60V,11A,107mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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RFD3055LESM规格书详情

描述 Description

这些N沟道加强模式功率MOSFET采用最新制造工艺技术制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA49158。

特性 Features

•11A,60V
•rDS(ON)= 0.107Ω
•温度补偿式PSPICE®模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•相关文献

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

技术参数

  • 制造商编号

    :RFD3055LESM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±16

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :11

  • PD Max (W)

    :38

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :107

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :5.2

  • Ciss Typ (pF)

    :350

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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