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RFD16N05LSM中文资料N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V,16A,47mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

RFD16N05LSM

功能描述

N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V,16A,47mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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RFD16N05LSM规格书详情

描述 Description

这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于逻辑电平(5V)驱动源,适用于可编程控制器、车用开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现,在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09871。

特性 Features

•16A, 50V
•rDS(ON)= 0.047Ω
•UIS SOA等级曲线(单脉冲)
•针对5V栅极驱动优化的设计
•可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
•SOA为有限功耗
•纳秒开关速度
•线性传递特性
•高输入阻抗
•多数载流子器件
•相关文献

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

技术参数

  • 制造商编号

    :RFD16N05LSM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :50

  • VGS Max (V)

    :±10

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :16

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :43

  • Ciss Typ (pF)

    :-

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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