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RFD16N05LSM数据手册ONSEMI中文资料规格书
RFD16N05LSM规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于逻辑电平(5V)驱动源,适用于可编程控制器、车用开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现,在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09871。
特性 Features
•16A, 50V
•rDS(ON)= 0.047Ω
•UIS SOA等级曲线(单脉冲)
•针对5V栅极驱动优化的设计
•可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
•SOA为有限功耗
•纳秒开关速度
•线性传递特性
•高输入阻抗
•多数载流子器件
•相关文献
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
:RFD16N05LSM
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:50
- VGS Max (V)
:±10
- VGS(th) Max (V)
:2
- ID Max (A)
:16
- PD Max (W)
:60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:43
- Ciss Typ (pF)
:-
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252-2(DPAK) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
AMS |
25+ |
TO252 |
3000 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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HARRIS(哈利斯) |
20+ |
TO-252AA |
75 |
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FAIRCHILD |
2022+ |
TO252 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
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INTERSIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO252 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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