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RFD14N05LSM中文资料N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V，14A，100mΩ数据手册ONSEMI规格书
RFD14N05LSM规格书详情
描述 Description
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 这种性能通过一种特殊的栅极氧化设计来实现，在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA09870。
特性 Features
•14A、50V
•rDS(ON)= 0.100Ω
•温度补偿式PSPICE®模型
•可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•175°C工作温度
•相关文献
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
：RFD14N05LSM
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：50
- VGS Max (V)
：±10
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：14
- PD Max (W)
：48
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：100
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：22
- Ciss Typ (pF)
：670
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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