RFD3055LE中文资料N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V,11A,107mΩ数据手册ONSEMI规格书
RFD3055LE规格书详情
描述 Description
这些N沟道加强模式功率MOSFET采用最新制造工艺技术制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA49158。
特性 Features
•11A,60V
•rDS(ON)= 0.107Ω
•温度补偿式PSPICE®模型
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•相关文献
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
:RFD3055LE
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±16
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:11
- PD Max (W)
:38
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:107
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:5.2
- Ciss Typ (pF)
:350
- Package Type
:IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
SOT-251 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
双极型晶体管 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO251 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
F |
24+ |
TO-251 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO251 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
TO-251AA |
105000 |
75个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 |