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RFD16N06LESM中文资料N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V,16A,47mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

RFD16N06LESM

功能描述

N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V,16A,47mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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RFD16N06LESM规格书详情

描述 Description

这些N沟道功率MOSFET采用现代工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件是为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用而设计的。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现,在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA49027。

特性 Features

•16A,60V
•rDS(ON)= 0.047Ω
•温度补偿式PSPICE模型
•可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•相关文献

应用 Application

• TBA

技术参数

  • 制造商编号

    :RFD16N06LESM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :10/-8

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :16

  • PD Max (W)

    :90

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :47

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :47

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :1350

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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