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RFD16N06LESM数据手册ONSEMI中文资料规格书
RFD16N06LESM规格书详情
描述 Description
这些N沟道功率MOSFET采用现代工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件是为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用而设计的。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现,在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA49027。
特性 Features
•16A,60V
•rDS(ON)= 0.047Ω
•温度补偿式PSPICE模型
•可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动
•峰值电流与脉宽曲线
•UIS额定值曲线
•相关文献
应用 Application
• TBA
技术参数
- 制造商编号
:RFD16N06LESM
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:10/-8
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:16
- PD Max (W)
:90
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:47
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:47
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:29
- Ciss Typ (pF)
:1350
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
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NA |
20094 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+PB |
TO-252 |
113 |
20+PB |
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FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
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HAR |
23+ |
RFD16N06LESM |
13528 |
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TO252 |
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TO-252 |
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