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RFD16N06LESM	文件：193.57 Kbytes Page：7 Pages	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance. Features •16A,60V •rDS(ON)=0.047Ω •TemperatureCompensati	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD16N06LESM	文件：342.79 Kbytes Page：7 Pages	16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingamodernprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance. Features •16A,60V •rDS(ON)=0.047Ω •TemperatureCompensati	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD16N06LESM	文件：897.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
EMB16N06A	文件：231.25 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)16mΩ ID42A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB16N06CS	文件：230.07 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB16N06G	文件：211.66 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)16mΩ ID6.7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB16N06H	文件：222.19 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)16mΩ ID42A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB16N06V	文件：207.88 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)16mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FTP16N06N	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NP16N06QLK	文件：376.32 Kbytes Page：9 Pages	DualN-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
RFD16N06LESM
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
MOSFET N D-PAK
功能描述：
MOSFET, N, D-PAK
功能描述：
MOSFET, N, D-PAK; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
16A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
47mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
5V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
3V; Power Dissipation
Pd：
90W ;RoHS
Compliant：
Yes

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