N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，11A，107mΩ

这些N沟道加强模式功率MOSFET采用最新制造工艺技术制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA49158。 •11A，60V\n•rDS(ON)= 0.107Ω\n•温度补偿式PSPICE®模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，60V，11A，107mΩ

这些N沟道加强模式功率MOSFET采用最新制造工艺技术制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA49158。 •11A，60V\n•rDS(ON)= 0.107Ω\n•温度补偿式PSPICE®模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•相关文献;

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