16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET

Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as

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Intersil

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，16A，47mΩ

这些N沟道功率MOSFET采用现代工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件是为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用而设计的。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA49027。 •16A，60V\n•rDS(ON)= 0.047Ω\n•温度补偿式PSPICE模型\n•可直接通过CMOS、NMOS和TTL电路来驱动\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体