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RF2105L	文件：70.27 Kbytes Page：8 Pages	HIGH POWER LINEAR UHF AMPLIFIER Product Description The RF2105L is a high power, high efficiency linear amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in digital cellular phone transmitters or ISM a 文件：70.27 Kbytes 页数：8 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2105LPCBA	文件：70.27 Kbytes Page：8 Pages	HIGH POWER LINEAR UHF AMPLIFIER Product Description The RF2105L is a high power, high efficiency linear amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in digital cellular phone transmitters or ISM a 文件：70.27 Kbytes 页数：8 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2105L	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH POWER LINEAR UHF AMPLIFIER	Qorvo 威讯联合	Qorvo
RN2105	文件：256.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Built-in bias resistors Simplified circuit design Fewer parts and simplified manufacturing process Complementary to RN1101~RN1106 文件：256.73 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2105	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：572.07 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2105	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Built-in bias resistors Simplified circuit design Fewer parts and simplified manufacturing process Complementary to RN1101~RN1106 文件：559.29 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
RF2105L
制造商：
RFMD
制造商全称：
RF Micro Devices
功能描述：
HIGH POWER LINEAR UHF AMPLIFIER

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