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RD06HVF1	文件：348.86 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：348.86 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HVF1	文件：421.58 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：421.58 Kbytes 页数：8 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HVF1_08	文件：421.58 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：421.58 Kbytes 页数：8 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HVF1_10	文件：348.86 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：348.86 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HVF1_11	文件：543.93 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：543.93 Kbytes 页数：9 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HHF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HHF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HVF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HVF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD0605-D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Hockey Puck；包装：散装类别：继电器固态继电器描述：SSR RELAY SPST-NO 5A 3-60V	Carlo Gavazzi Inc.	Carlo Gavazzi Inc.
RD0605-D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Hockey Puck；包装：散装类别：继电器固态继电器描述：SSR RELAY SPST-NO 5A 3-60V	Carlo Gavazzi Inc.	Carlo Gavazzi Inc.

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
30MHz
Output Power (Min)：
6W
Package：
TO-220S
Input Power (Typ)：
0.15W
Drain Efficiency (Min)：
55%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市恒达亿科技有限公司	RD06HHF1	MITSUBISHI	25+	TO220	3000	全新原装、诚信经营、公司现货销售!	询价
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更多RD06供应商更新时间2026-3-14 14:01:00

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