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RD06HVF1	文件：381.3 Kbytes Page：8 Pages	MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. DESCRIPTION RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF band mobile radio sets. 文件：381.3 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1	文件：421.58 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：421.58 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1	文件：543.93 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：543.93 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1	文件：348.86 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：348.86 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HVF1	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD06HVF1-101	文件：381.3 Kbytes Page：8 Pages	MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. DESCRIPTION RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF band mobile radio sets. 文件：381.3 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1_08	文件：421.58 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：421.58 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1_10	文件：348.86 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：348.86 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
RD06HVF1_11	文件：543.93 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W 文件：543.93 Kbytes 页数：9 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Freqency：
175MHz
Output Power (Min)：
6W
Package：
TO-220S
Input Power (Typ)：
0.3W
Drain Efficiency (Min)：
60%
Feature：
built in Gate Protection Diode
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多RD06HVF1供应商更新时间2025-10-7 14:01:00

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