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RD06HVF1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HVF1数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RD06HVF1

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HVF1

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RD06HVF1

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :12.5V

  • Freqency

    :175MHz

  • Output Power (Min)

    :6W

  • Package

    :TO-220S

  • Input Power (Typ)

    :0.3W

  • Drain Efficiency (Min)

    :60%

  • Feature

    :built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
24+
NA/
67
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO220S
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24+
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24+
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