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RD02LUS2中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD02LUS2数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RD02LUS2

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD02LUS2

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-11-16 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RD02LUS2

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :3.6V

  • Freqency

    :470MHz

  • Output Power (Min)

    :2.3(typ)W

  • Package

    :SOT-89

  • Input Power (Typ)

    :0.2W

  • Drain Efficiency (Min)

    :70(typ)%

  • Feature

    :built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
24+
NA/
550
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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24+
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原装正品 有挂有货 假一赔十
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500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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24+
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2940
长期供应原装现货实单可谈
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