RD06HVF1-101技术资料参数供应商报价-114ic电子网

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RD06HVF1-101	文件：381.3 Kbytes Page：8 Pages	MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. DESCRIPTION RD06HVF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V,f=175MHz APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF band mobile radio sets. 文件：381.3 Kbytes 页数：8 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RD100HHF1	文件：0 bytes Page：0 Pages	ROHS	三菱上传：深圳市正纳电子有限公司	三菱
RD10M-T1B-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NEC 瑞萨上传：深圳市旺财半导体有限公司	NEC
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型号：
RD06HVF1-101
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RD06HVF1-101供应商更新时间2026-1-29 14:12:00