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RD100HHF1

MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications.

DESCRIPTION RD100HHF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>100W, Gp>11.5dB @Vdd=12.5V,f=30MHz High Efficiency: 60typ.on HF Band APPLICATION For output stage of high power amplifie

文件:179.13 Kbytes 页数:7 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

RD100HHF1

Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

文件:267.18 Kbytes 页数:8 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

RD100HHF1

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

文件:590.97 Kbytes 页数:9 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

RD100HHF1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD100HHF1

MITSUBISHI

三菱电机

RD100HHF1_10

Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

文件:267.18 Kbytes 页数:8 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

RD100HHF1_11

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W

文件:590.97 Kbytes 页数:9 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

技术参数

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Freqency:

    30MHz

  • Output Power (Min):

    100W

  • Package:

    Ceramic(Large)

  • Input Power (Typ):

    7000W

  • Drain Efficiency (Min):

    55%

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
三菱
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ROHS
502
原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功率和高增益的MOS FET型晶体管。噘>100W,GP>11.5分贝@ VDD =12.5V,F =30MHz的高效率:60%typ.on HF乐队中的应用对于高功率放大器在HF波段移动无线电设备的输出级
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更多RD100HHF1供应商 更新时间2026-1-21 14:01:00