RD100HHF1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD100HHF1数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
:RD100HHF1
- 生产厂家
:MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
:12.5V
- Freqency
:30MHz
- Output Power (Min)
:100W
- Package
:Ceramic(Large)
- Input Power (Typ)
:7000W
- Drain Efficiency (Min)
:55%
- Feature
:-
- RoHS Directive
:2011/65/EU RoHS2 Compliant
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
25+ |
SMD |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | ||
MITSUBISH |
23+ |
NA |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
25+ |
TO-59 |
860 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
MIT |
2223+ |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | |||
MITSUBISHI |
24+ |
CERAMIC |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
三菱 |
12+ |
ROHS |
502 |
原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功率和高增益的MOS FET型晶体管。噘>100W,GP>11.5分贝@ VDD =12.5V,F =30MHz的高效率:60%typ.on HF乐队中的应用对于高功率放大器在HF波段移动无线电设备的输出级 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
MITSUBI |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
询价 | ||
MITSUBISH |
25+23+ |
SOP |
29730 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |