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RD06HHF1

Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

DESCRIPTION RD06HHF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for HF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>6W, Gp>16dB @Vdd=12.5V,f=30MHz APPLICATION For output stage of high power amplifiers in HF band mobile radio sets.

文件:204.78 Kbytes 页数:7 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD06HHF1

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

文件:265.83 Kbytes 页数:9 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD06HHF1

RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

文件:314.27 Kbytes 页数:8 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD06HHF1

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

文件:583.66 Kbytes 页数:9 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD06HHF1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD06HHF1

MITSUBISHI

三菱电机

RD06HHF1_08

RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

文件:314.27 Kbytes 页数:8 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD06HHF1_10

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

文件:265.83 Kbytes 页数:9 Pages

Mitsubishi

三菱电机

RD06HHF1_11

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

文件:583.66 Kbytes 页数:9 Pages

Mitsubishi

三菱电机

技术参数

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Freqency:

    30MHz

  • Output Power (Min):

    6W

  • Package:

    TO-220S

  • Input Power (Typ):

    0.15W

  • Drain Efficiency (Min):

    55%

  • Feature:

    built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
三菱
25
TO-220
620
绝对原装现货
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MITSUBISHI/三菱
24+
IGBT模块
1130
原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块
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13+
TO-220S
7638
原装分销
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MITSUB
18+
TO-220S
85600
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Mitsubishi Electric (三菱)
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NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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TO220
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标准封装
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Mitsubishi(三菱)
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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TO220S
2500
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更多RD06HHF1供应商 更新时间2025-10-9 14:01:00