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RD06HHF1	文件：204.78 Kbytes Page：7 Pages	Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W DESCRIPTION RD06HHF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES Highpowergain: Pout>6W,Gp>16dB@Vdd=12.5V,f=30MHz APPLICATION ForoutputstageofhighpoweramplifiersinHFbandmobileradiosets.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HVF1	文件：381.3 Kbytes Page：8 Pages	MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. DESCRIPTION RD06HVF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES Highpowergain: Pout>6W,Gp>13dB@Vdd=12.5V,f=175MHz APPLICATION ForoutputstageofhighpoweramplifiersinVHFbandmobileradiosets.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HVF1-101	文件：381.3 Kbytes Page：8 Pages	MOS FET type transistor specifically designed for VHF RF power amplifiers applications. DESCRIPTION RD06HVF1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforVHFRFpoweramplifiersapplications. FEATURES Highpowergain: Pout>6W,Gp>13dB@Vdd=12.5V,f=175MHz APPLICATION ForoutputstageofhighpoweramplifiersinVHFbandmobileradiosets.	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HHF1	文件：265.83 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HHF1	文件：314.27 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HHF1	文件：583.66 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HHF1_08	文件：314.27 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HHF1_10	文件：265.83 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HHF1_11	文件：583.66 Kbytes Page：9 Pages	RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
RD06HVF1	文件：421.58 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 175MHz,6W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

详细参数

型号：
RD06
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,6W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富芯乐电子科技有限公司	RD06HHF1	MITSUBISHI/三菱	24+	IGBT模块	1130	原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	RD06HHF1		13+	TO-220S	7638	原装分销	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	RD06HHF1	MITSUBISHI	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳诚思涵科技有限公司	RD06HHF1	MITSUB	18+	TO-220S	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市正纳电子有限公司	RD06HHF1	Mitsubishi Electric (三菱)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	RD06HHF1	MITSUBISHI	23+	TO220	3000	全新原装、诚信经营、公司现货销售!	询价
深圳科宇泰科技有限公司	RD06HHF1	MITSUBISHI	21+	标准封装	50	进口原装,订货渠道!	询价
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深圳市益百分电子有限公司	RD06HVF1	MIT	11+	TO220S	2500	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
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更多RD06供应商更新时间2025-5-20 11:08:00

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