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RA30H4452M1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4452M1数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
:RA30H4452M1
- 生产厂家
:MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
:12.5V
- Frequency (Min - Max)
:440~520MHz
- Output Power
:30W
- Package
:H2M
- Input Power Typ
:50mW
- Drain Efficiency (Min)
:42%
- Feature
:-
- RoHS Directive
:2011/65/EU RoHS2 Compliant
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
25+ |
H2M |
2650 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2450+ |
H2M |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
Rep-Avago |
21+ |
33 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
ROHS |
345 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
10+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64586 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
MITSUBISH |
25+23+ |
H2S |
33320 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |