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RA30H1721M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H1721M数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA30H1721M
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.5V
- Frequency (Min - Max)
：175～215MHz
- Output Power
：30W
- Package
：H2S
- Input Power Typ
：50mW
- Drain Efficiency (Min)
：40%
- Feature
：-
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
模块 |
47 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | |||
MIT |
25+ |
SOP16 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
107 |
现货供应 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
IGBT模块 |
1130 |
原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
H2S |
1025 |
全新原装现货,假一赔十. |
询价 | ||
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MITSUBISH |
2450+ |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | |||
三凌 |
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
