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RA30H1317M1A中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H1317M1A数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RA30H1317M1A

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H1317M1A

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:24:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RA30H1317M1A

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :12.5V

  • Frequency (Min - Max)

    :136~174MHz

  • Output Power

    :30W

  • Package

    :H2M(A)

  • Input Power Typ

    :50mW

  • Drain Efficiency (Min)

    :45%

  • Feature

    :VGS1,VGD2 Separation type

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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