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RA30H3847M1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H3847M1数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA30H3847M1
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.5V
- Frequency (Min - Max)
：378～470MHz
- Output Power
：30W
- Package
：H2M
- Input Power Typ
：50mW
- Drain Efficiency (Min)
：42%
- Feature
：-
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
19+ |
H2M |
118 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
107 |
现货供应 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
IGBT模块 |
1130 |
原厂授权,一级代理IGBT模块,可控硅模块 |
询价 | ||
QORVO |
24+ |
SMD |
5000 |
QORVO“芯达集团”专营品牌原装正品假一罚十 |
询价 | ||
MITSUBIS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2M |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
25+ |
H2M |
2650 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
Mitsubishi Electric (三菱) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
MITSUBIS |
23+ |
模块 |
900 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 | ||
MIT |
24+ |
NA/ |
3270 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 |
