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RA30H2127M中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H2127M数据手册MITSUBISHI规格书
技术参数
- 制造商编号
：RA30H2127M
- 生产厂家
：MITSUBISHI
- Drain Voltage Typ
：12.5V
- Frequency (Min - Max)
：210～270MHz
- Output Power
：30W
- Package
：H2S
- Input Power Typ
：50mW
- Drain Efficiency (Min)
：40%
- Feature
：-
- RoHS Directive
：2011/65/EU RoHS2 Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIT |
25+ |
SOP16 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
20+ |
假一赔十 |
460 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
107 |
现货供应 |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
H2S |
15000 |
只做进口原装假一罚百 |
询价 | ||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
H2S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
25+ |
H2M |
2650 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
5720 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
MIT |
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | |||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
