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RA30H4452M1

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4452M1

MITSUBISHI

三菱电机

RA30H4452M1A

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4452M1A

MITSUBISHI

三菱电机

RA55H4047M

NEXPERIA安世

RA8835AP3N

QFP60

RA8900CE其他晶振

QFN

EPSON/爱普生

上传:深圳庞田科技有限公司

EPSON/爱普生

技术参数

  • Drain Voltage Typ:

    12.5V

  • Frequency (Min - Max):

    440~520MHz

  • Output Power:

    30W

  • Package:

    H2M

  • Input Power Typ:

    50mW

  • Drain Efficiency (Min):

    42%

  • RoHS Directive:

    2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MITSUBISHI/三菱
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
询价
MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
询价
MITSUBISHI
25+
H2M
2650
原厂原装,价格优势
询价
MITSUBISHI/三菱
23+
H2S
89630
当天发货全新原装现货
询价
MITSUBISHI/三菱
2450+
H2M
6885
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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MITSUBISHI
13+
1983
原装分销
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MITSUBI
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
询价
MITSUBISHI/三菱
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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MITSUBISHI
ROHS
345
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
MITSUBISHI/三菱
10+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
更多RA30H4452M1供应商 更新时间2025-12-23 16:04:00