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RA30H4452M1A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA30H4452M1A	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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RA8835AP3N	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP60	RAiO 瑞佑科技上传：深圳市佳杰伟业科技有限公司	RAiO
RA8900CE其他晶振	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	EPSON/爱普生上传：深圳庞田科技有限公司	EPSON/爱普生
RAA1.25-4	文件：0 bytes Page：0 Pages	连接器	JST JST集团上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	JST

技术参数

Drain Voltage Typ：
12.5V
Frequency (Min - Max)：
440～520MHz
Output Power：
30W
Package：
H2M(A)
Input Power Typ：
50mW
Drain Efficiency (Min)：
40%
Feature：
VGS1，VGD2 Separation type
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多RA30H4452M1A供应商更新时间2025-12-23 15:53:00

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