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R6006JNX	文件：319.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.94Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6006KND3	文件：299.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.83Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6006KNX	文件：2.06788 Mbytes Page：15 Pages	Nch 600V 6A Power MOSFET lFeatures 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication Switching 文件：2.06788 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6006PND	文件：299.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6007END3	文件：299.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.62Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6007JND3	文件：299.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.78Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6007JNJ	文件：349.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.78Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6007JNX	文件：319.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.78Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6007MND3	文件：299.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.73Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6007RND3	文件：2.56734 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6007RND3；Package：TO-252；Nch 600V 7A Power MOSFET Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching 文件：2.56734 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
R60
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
开关管（SW）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
KSR2110,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

IF（A）：
0.2
VRRM(V)：
6000
IFSM(A)：
30
VF(V)：
5
@IVA(A)：
0.2
IR (μA)TA=25℃：
5
TJ(℃)：
/

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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