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R6006PND	文件：299.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6006PND3FRA	文件：1.98578 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R6006PND3；Package：TO-252；Nch 600V 6A Power MOSFET 文件：1.98578 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6006PND3FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 6A 功率MOSFET R6006PND3FRA是适合开关电源用途的Super Junction MOSFET产品。本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。 • Low on-resistance\n• Fast switching speed\n• Drive circuits can be simple\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-state resistance RDS(on)= 1.4Ω typ. (at ID= 2.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25oC) High speed switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6006DPD	文件：1.43513 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.43513 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
6
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.9
Total gate charge Qg[nC]：
15
Power Dissipation (PD)[W]：
87
Drive Voltage[V]：
10
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.3)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R6006PND供应商更新时间2025-12-15 16:49:00

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