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|---|---|---|---|---|
RJK6006DPD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-state resistance RDS(on)= 1.4Ω typ. (at ID= 2.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25oC) High speed switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
RJK6006DPD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
RJK6006DPD | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.43513 Mbytes 页数：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-state resistance RDS(on)= 1.4Ω typ. (at ID= 2.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25oC) High speed switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
RJK6006DPD | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas |
技术参数
- 封装类型：
MP-3A/TO-252
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
600
- ID (A)：
5
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
1600
- Ciss (pF) 典型值：
600
- Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
- VGSS (V)：
30
- Pch (W)：
77.6
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Surface Mount
- QG (nC) 典型值：
19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-252 |
22620 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
R |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1265 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
R |
25+ |
TO-252 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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