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RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.4Ωtyp.(atID=2.5A,VGS=10V,Ta=25oC) Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD	文件：1.43513 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6006DPD-00-J2	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.4Ωtyp.(atID=2.5A,VGS=10V,Ta=25oC) Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6006DPD_15	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RN6006	文件：94.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) MotorDriveCircuitApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●Smallflatpackage ●PC=1~2W(mountedonceramicsubstrate) ●ComplementarytoRN50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RS6006MH	文件：420.72 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE400to1000VoltsCURRENT60Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:500amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability *Superiorthermalconductivity	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
S6006D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
S6006D	文件：218.54 Kbytes Page：12 Pages	RoHSCompliant GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
S6006D	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor

详细参数

型号：
RJK6006DPD
制造商：
Renesas Electronics Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	RJK6006DPD	RENESAS/瑞萨	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	RJK6006DPD	RENESAS/瑞萨	24+	TO-252	1898	原装现货假一赔十	询价
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更多RJK6006DPD供应商更新时间2025-5-21 14:50:00

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