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RJK6006DPD-00-J2

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.4Ωtyp.(atID=2.5A,VGS=10V,Ta=25oC) Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJK6006DPD-00-J2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS
23+
null
8000
只做原装现货
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-TO-220
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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RENESAS
24+
TO-220F
10
进口原装
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TO-220F
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进口原装现货,假一赔十
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公司只做原装,详情请咨询
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62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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RENESAS/瑞萨
TO-220F
22+
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十年配单,只做原装
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
6000
原装正品,支持实单
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更多RJK6006DPD-00-J2供应商 更新时间2025-5-28 15:01:00