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RJK6006DPD-00-J2

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features Low on-state resistance RDS(on)= 1.4Ω typ. (at ID= 2.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25oC) High speed switching

文件:80.23 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR
RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

AMPHENOL
RJ

RJP30E2DPP

RENESAS
PBFREE

RJP4003ANS-00#Q1

Renesas
-

详细参数

  • 型号:

    RJK6006DPD-00-J2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RJK6006DPD-00-J2供应商 更新时间2025-10-9 15:01:00