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R6006KNX	文件：2.06788 Mbytes Page：15 Pages	Nch 600V 6A Power MOSFET lFeatures 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication Switching 文件：2.06788 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6006KNX	文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6006KNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 6A 功率MOSFET R6006KNX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。 • Low on-resistance\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R6006PND	文件：299.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Low on-state resistance RDS(on)= 1.4Ω typ. (at ID= 2.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25oC) High speed switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6006DPD	文件：80.23 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：80.23 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
6
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.72
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.72
Total gate charge Qg[nC]：
12
Power Dissipation (PD)[W]：
40
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
290
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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