PTFC210202FCV1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

描述 Description

High Power RF LDMOS FET, 28 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz

特性 Features

·Input matched
·Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V, combined output - Output power at P1dB = 28 W - Efficiency = 62% - Gain = 20.9 dB
·Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 28 W (CW) output power
·Integrated ESD protection
·Low thermal resistance
·Pb-free and RoHS compliant
·Package: H-37248-4

简介

PTFC210202FCV1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTFC210202FCV1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。