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PTF2	文件：613.8 Kbytes Page：2 Pages	Strong Lead Attachment	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
PTF210101M	文件：276.3 Kbytes Page：8 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz Description ThePTF210101Misanunmatched10-wattGOLDMOS®FETintendedforclassABbasestationapplicationsinthe2110to2170MHzband.ThisLDMOSdeviceoffersexcellentgain,efficiencyandlinearityperformanceinasmallfootprint. Features •TypicalWCDMAperformance -Averageou	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210301	文件：337.85 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210301isa30W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageout	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210301A	文件：337.85 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210301isa30W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageout	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210301E	文件：337.85 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210301isa30W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageout	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210451	文件：406.9 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Internalmatchingforwidebandperformance •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210451E	文件：406.9 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Internalmatchingforwidebandperformance •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210901	文件：266.34 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210901isaninternallymatched90WGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Internalmatchingforwidebandperformance •Typicaltwo–carrier3GPPWCDMA perfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF210901E	文件：266.34 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210901isaninternallymatched90WGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Internalmatchingforwidebandperformance •Typicaltwo–carrier3GPPWCDMA perfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF211301	文件：449.03 Kbytes Page：9 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF211301isa130–W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplications.Itischaracaterizedforsingle–andtwo–carrierWCDMAoperationfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF211301A	文件：449.03 Kbytes Page：9 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF211301isa130–W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplications.Itischaracaterizedforsingle–andtwo–carrierWCDMAoperationfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF211802	文件：169.14 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageoutputpower=38W -Gain=15dB -Efficiency=25 -IM3=–37dBc -ACPR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF211802A	文件：169.14 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageoutputpower=38W -Gain=15dB -Efficiency=25 -IM3=–37dBc -ACPR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF211802E	文件：169.14 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageoutputpower=38W -Gain=15dB -Efficiency=25 -IM3=–37dBc -ACPR	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PTF20024	文件：199.66 Kbytes Page：3 Pages	Miniature Power Relay	MACOM Tyco Electronics	MACOM
PTF20024	文件：261.459 Kbytes Page：3 Pages	Miniature Power Relay PTF	MACOM Tyco Electronics	MACOM
PTF20524	文件：199.66 Kbytes Page：3 Pages	Miniature Power Relay	MACOM Tyco Electronics	MACOM
PTF20524	文件：261.459 Kbytes Page：3 Pages	Miniature Power Relay PTF	MACOM Tyco Electronics	MACOM
PTF20615	文件：261.459 Kbytes Page：3 Pages	Miniature Power Relay PTF	MACOM Tyco Electronics	MACOM
PTF20615	文件：199.66 Kbytes Page：3 Pages	Miniature Power Relay	MACOM Tyco Electronics	MACOM

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详细参数

型号：
PTF2
制造商：
TE Connectivity
功能描述：
RELAY FASTON DPCO 15A 24VDC
功能描述：
RELAY, FASTON, DPCO, 15A, 24VDC
功能描述：
Mini DPDT 10A plug-in power relay, 24Vdc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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