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PTF210301	文件：337.85 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210301isa30W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageout	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTF210301A	文件：337.85 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210301isa30W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageout	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTF210301E	文件：337.85 Kbytes Page：8 Pages	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description ThePTF210301isa30W,internallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Broadbandinternalmatching •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance -Averageout	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PTFA210301E	文件：198.94 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET30W,2110-2170MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
PTF210301
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz

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