PTF210451分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PTF210451 |
参数属性 | PTF210451 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 |
功能描述 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz |
封装外壳 | 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 |
文件大小 |
406.9 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | INFINEON |
中文名称 | 英飞凌 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 20:11:00 |
人工找货 | PTF210451价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PTF210451规格书详情
PTF210451属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTF210451晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
描述 Description
The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.
特性 Features
• Internal matching for wideband performance
• Typical two–carrier WCDMA performance
- Average output power = 11.5 W
- Gain = 14 dB
- Efficiency = 27
- IM3 = –37 dBc
• Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 50 W
- Linear gain = 14 dB
- Efficiency = 53
• Integrated ESD protection: Human Body Model,
Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI Drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
45 W (CW) output power
产品属性
更多- 产品编号:
PTF210451F V1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
GOLDMOS®
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
14dB
- 额定电流(安培):
1µA
- 功率 - 输出:
45W
- 封装/外壳:
2-扁平封装,叶片引线,带法兰
- 供应商器件封装:
H-31265-2
- 描述:
IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
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