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PTF210451分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTF210451
厂商型号

PTF210451

参数属性

PTF210451 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2

功能描述

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz
IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2

封装外壳

2-扁平封装,叶片引线,带法兰

文件大小

406.9 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:11:00

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PTF210451规格书详情

PTF210451属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTF210451晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

描述 Description

The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

特性 Features

• Internal matching for wideband performance

• Typical two–carrier WCDMA performance

- Average output power = 11.5 W

- Gain = 14 dB

- Efficiency = 27

- IM3 = –37 dBc

• Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 50 W

- Linear gain = 14 dB

- Efficiency = 53

• Integrated ESD protection: Human Body Model,

Class 1 (minimum)

• Excellent thermal stability

• Low HCI Drift

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,

45 W (CW) output power

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PTF210451F V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GOLDMOS®

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.17GHz

  • 增益:

    14dB

  • 额定电流(安培):

    1µA

  • 功率 - 输出:

    45W

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装:

    H-31265-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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