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PMPB10XN	文件：311.15 Kbytes Page：14 Pages	Marking：5C；Package：SOT1220；30 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB10XNEA	文件：299.07 Kbytes Page：14 Pages	Marking：4E；Package：SOT1220；20 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology •Sidewe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB10XNE	文件：751.65 Kbytes Page：14 Pages	Marking：1H；Package：DFN2020MD-6；20 V, single N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB10XNE_15	文件：254.86 Kbytes Page：14 Pages	20 V, single N-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

更多PMPB10XN供应商更新时间2025-7-21 14:07:00