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PMPB10XN	文件：311.15 Kbytes Page：14 Pages	丝印：5C；Package：SOT1220；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Very fast switching • Low threshold voltage • Trench MOSFE 文件：311.15 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB10XNEA	文件：299.07 Kbytes Page：14 Pages	丝印：4E；Package：SOT1220；20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we 文件：299.07 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB10XNE	文件：751.65 Kbytes Page：14 Pages	丝印：1H；Package：DFN2020MD-6；20 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：751.65 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB10XNE_15	文件：254.86 Kbytes Page：14 Pages	20 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：254.86 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PMPB10XN	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Very fast switching\n• Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB10XNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, single N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • 2.2 kV ESD protection\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n• Tin-plated, 100% solderable side pads for optical solder inspection;	Nexperia 安世	Nexperia
PMPB10XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
13
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
16
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
13.5
QGD [typ] (nC)：
6
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
20
Ptot [max] (W)：
1.9
VGSth [typ] (V)：
0.65
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1761
Coss [typ] (pF)：
137
Release date：
2020-03-11

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