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PMDT670UPE中文资料20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
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描述 Description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• ESD protection up to 2 kV
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDT670UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT666
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：850
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：1500
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-0.55
- QGD [typ] (nC)
：0.18
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.76
- Ptot [max] (W)
：0.33
- VGSth [typ] (V)
：-0.8
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：58
- Coss [typ] (pF)
：21
- Release date
：2011-09-15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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