PMDPB30XN中文资料20 V, dual N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDPB30XN规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Relay driver
• LED backlight driver
• Low-side loadswitch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDPB30XN
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：40
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：53
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：5.3
- QGD [typ] (nC)
：1.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：14.400001
- Ptot [max] (W)
：0.49
- VGSth [typ] (V)
：0.65
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：660
- Coss [typ] (pF)
：87
- Release date
：2012-07-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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