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PMDPB56XNEA中文资料30 V, dual N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDPB56XNEA规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Trench MOSFET technology
• Low threshold voltage
• Leadless medium power SMD plasticpackage:2×2×0.65mm
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• LED driver
• Power management
• Low-side loadswitch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDPB56XNEA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020D-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：30
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：72
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：102
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：3.1
- QGD [typ] (nC)
：0.8
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：2.9
- Ptot [max] (W)
：0.485
- VGSth [typ] (V)
：1
- Automotive qualified
：Y
- Ciss [typ] (pF)
：256
- Coss [typ] (pF)
：31.000002
- Release date
：2016-04-19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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