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PMDPB42UN,115数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

PMDPB42UN,115

功能描述

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

原厂标识

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-8-6 9:31:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :PMDPB42UN,115

  • 生产厂家

    :恩XP

  • FET 功能

    :逻辑电平门

  • 漏源电压(Vdss)

    :20V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :3.9A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :50 毫欧 @ 3.9A,4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :1V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :3.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :185pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    :510mW

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :6-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装

    :DFN2020-6

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