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PMDPB42UN,115中文资料MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6数据手册恩XP规格书
技术参数
- 制造商编号
：PMDPB42UN,115
- 生产厂家
：恩XP
- FET 功能
：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）
：20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：3.9A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：50 毫欧 @ 3.9A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：1V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：3.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：185pF @ 10V
- 功率 - 最大值
：510mW
- 工作温度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装
：DFN2020-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
原包装原封□□ |
117865 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
6-UDFN 裸露焊盘 |
9350 |
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询价 | ||
恩XP |
13+12+ |
DFN2020 |
780 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
DFN2020-6 |
40970 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN2020-6 |
467183 |
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询价 | ||
NEXP |
20+ |
DFN2020-6 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT1118 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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NEXP |
23+ |
DFN2020-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
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询价 |
